SiC próbabábu ostya

SiC próbabábu ostya

A SiC dummy wafer egy kiváló minőségű termék, amelyet széles körben használnak a félvezetőiparban. Ez egy szilícium-karbid lapka, amelyet kifejezetten félvezető eszközök tesztelésére és hibakeresésére terveztek.
A szálláslekérdezés elküldése
Csevegj most
Leírás
Műszaki paraméterek
termékleírás

 

A SiC dummy wafer egy kiváló minőségű termék, amelyet széles körben használnak a félvezetőiparban. Ez egy szilícium-karbid lapka, amelyet kifejezetten félvezető eszközök tesztelésére és hibakeresésére terveztek. A SiC dummy wafer fontos eszköze a félvezetőgyártóknak, mivel segíti őket termékeik minőségének és integritásának biztosításában.

 

A SiC dummy ostya egyik legfontosabb előnye a nagy tisztasága és egyenletessége. Ez biztosítja, hogy pontos és megbízható eredményeket adjon a félvezető eszközök tesztelése és hibakeresése során. Az ostya emellett rendkívül tartós és ellenáll a sérüléseknek, így ideális választás zord üzemi környezetben való használatra.

 

A SiC dummy wafer másik előnye a sokoldalúság. A félvezető alkalmazások széles skálájában használható, beleértve az erősáramú eszközöket, az RF eszközöket és az optoelektronikát. Ez értékes eszközzé teszi a félvezetőgyártók számára, akiknek különféle eszközöket kell tesztelniük.

 

4H N-TYPE SiC 100mm, 350μm OSTYA SPECIFIKÁCIÓ

Cikkszám

W4H100N-4-PO (vagy CO)-350

Leírás

4H SiC szubsztrát

Politípus

4H

Átmérő

(100+0.0-0.5) mm

Vastagság

(350±25) μm (Műszaki színvonal ±50 μm)

Fuvarozó típusa

n-típusú

Adalékanyag

Nitrogén

Ellenállás (RT)

0.012-0.025Ω▪cm (mérnöki fokozat<0.025Ω▪cm)

Ostya orientáció

(4+0.5) fok

Mérnöki fokozat

Gyártási fokozat

Gyártási fokozat

2.1

2.2

2.3

Mikrocső sűrűsége

30 cm-² vagy annál kisebb

10 cm-² vagy annál kisebb

1 cm-² vagy kisebb

Mikrocső szabad terület

Nem meghatározott

96%-nál nagyobb vagy egyenlő

96%-nál nagyobb vagy egyenlő

Tájékozódó lakás (OF)

 

Irányultság

Párhuzamos {1-100} ±5 fok

Tájolás lapos hossz

(32,5±2.0) mm

azonosítási lakás (IF)

 

Irányultság

Si-face: 90 fok Cw, tájolástól számítva ±5 fok

ldentification lapos hossz

(18.{1}}.0) mm

 

Felület

1. lehetőség: Si-face standard polírozás Epi-ready C-face optikai polírozás

2. lehetőség: Si-face CMP Epi-ready, C-face optikai polírozás

Csomag

Több ostya (25) szállítódoboz

(Egyetlen ostyacsomag kérésre)

 

6H N-TYPE SiC, 2" OSTYA MŰSZAKI ADATOK

Cikkszám

W6H51N-0-PM-250-}S

Leírás

Gyártási fokozat 6H SiC szubsztrát

Politípus

6H

Átmérő

(50,8±38) mm

Vastagság

(250±25) um

Fuvarozó típusa

n-típusú

Adalékanyag

Nitrogén

Ellenállás (RT)

0.06-0.10Ω▪cm

Ostya orientáció

(0+0.5) fok

Mikrocső sűrűsége

100 cm-² vagy annál kisebb

Tájolás lapos tájolás

Párhuzamos {1-100} ±5 fok

Tájolás lapos hossz

(15,88±1,65) mm

Azonosítás lapos tájolás

Si-face: 90 fok Cw. homlok tájolás lapos ±5 fok

ldentification lapos hossz

(8+1,65) mm

Felület

Si-face standard lakk Epi-ready

C-felület mattított

Csomag

Egyetlen ostyacsomag vagy több ostya szállítási doboz

 

Termék kép

 

01
 
02
 

SiC GaN Wafer

Miért válasszon minket

 

Termékeinket kizárólag a világ öt legnagyobb gyártójától és vezető hazai gyáraitól szerezzük be. Magasan képzett hazai és nemzetközi műszaki csapatok és szigorú minőség-ellenőrzési intézkedések támogatják.

Célunk, hogy ügyfeleink számára átfogó, egy-egy támogatást nyújtsunk, biztosítva a zökkenőmentes, professzionális, időszerű és hatékony kommunikációs csatornákat. Alacsony minimális rendelési mennyiséget kínálunk, és garantáljuk a gyors, 24 órán belüli kiszállítást.

 

Gyári bemutató

 

Hatalmas raktárkészletünk 1000+ termékből áll, így ügyfeleink akár egy darabra is megrendelhetik. Saját tulajdonú kockákra és háttérköszörülésre szolgáló berendezéseink, valamint a globális ipari láncban való teljes körű együttműködés lehetővé teszi számunkra az azonnali szállítást, hogy ügyfeleink egyablakos elégedettségét és kényelmét biztosítsuk.

01
02
03

 

Tanúsítványunk

 

Cégünk büszke a megszerzett különféle tanúsítványainkra, beleértve a szabadalmi tanúsítványunkat, az ISO9001-es tanúsítványunkat és a National High-Tech Enterprise tanúsítványunkat. Ezek a tanúsítványok az innováció, a minőségirányítás és a kiválóság iránti elkötelezettségünket jelentik.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Népszerű tags: sic dummy wafer, kínai sic dummy wafer gyártók, beszállítók, gyár