Leírás

Műszaki paraméterek

termékleírás

A SiC epi wafer egy kiváló minőségű és fejlett félvezető termék a piacon. Ez egyfajta szilícium-karbid epitaxiális lapka, amely kiváló teljesítményt nyújt különféle elektronikus és optikai alkalmazásokban. A SiC epi ostyát fejlett kristálynövekedési technikák alkalmazásával gyártják, ami kiváló minőségű, kiváló tulajdonságokkal rendelkező anyagot eredményez.

A SiC epi wafer egyik jelentős előnye a nagy áttörési feszültség, így ideális választás nagy teljesítményű és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz. Kiválóan ellenáll a termikus és mechanikai igénybevételnek is, ami stabilitást és tartósságot biztosít még zord körülmények között is. Kiváló hővezető tulajdonságai lehetővé teszik a hatékony hőelvezetést, csökkentve az elektronikus alkatrészek hőkárosodásának kockázatát.

A SiC epi lapkát széles körben használják különféle elektronikus és optoelektronikai eszközökben, beleértve a teljesítményelektronikát, a világítást és az érzékelőket. Kiváló teljesítményt és megbízhatóságot biztosít még olyan igényes alkalmazásokban is, amelyek magas hőmérsékletet és nagy teljesítményt igényelnek. Ráadásul környezetbarát és fenntartható alternatívája a hagyományos szilícium alapú anyagoknak, így ideális választás a környezettudatos fogyasztók számára.

4H N-TYPE SiC 100mm, 350μm OSTYA SPECIFIKÁCIÓ
Cikkszám	W4H100N-4-PO (vagy CO)-350
Leírás	4H SiC szubsztrát
Politípus	4H
Átmérő	(100+0.0-0.5) mm
Vastagság	(350±25) μm (Műszaki színvonal ±50 μm)
Fuvarozó típusa	n-típusú
Adalékanyag	Nitrogén
Ellenállás (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (mérnöki fokozat<0.025Ω▪cm)
Ostya orientáció	(4+0.5) fok
	Mérnöki fokozat	Gyártási fokozat	Gyártási fokozat
	2.1	2.2	2.3
Mikrocső sűrűsége	30 cm-² vagy annál kisebb	10 cm-² vagy annál kisebb	1 cm-² vagy annál kisebb
Mikrocső szabad terület	Nem meghatározott	96%-nál nagyobb vagy egyenlő	96%-nál nagyobb vagy egyenlő
Tájékozódó lakás (OF)
Irányultság	Párhuzamos {1-100} ±5 fok
Tájolás lapos hossz	(32,5±2.0) mm
azonosítási lakás (IF)
Irányultság	Si-face: 90 fok Cw, a tájolástól számítva ±5 fok
ldentification lapos hossz	(18.0+2.0) mm
Felület	1. lehetőség: Si-face standard polírozás Epi-ready C-face optikai polírozás
	2. lehetőség: Si-face CMP Epi-ready, C-face optikai polírozás
Csomag	Több ostya (25) szállítódoboz
	(Egyetlen ostyacsomag kérésre)

6H N-TYPE SiC, 2" OSTYA MŰSZAKI ADATOK
Cikkszám	W6H51N-0-PM-250-S
Leírás	Gyártási fokozat 6H SiC szubsztrát
Politípus	6H
Átmérő	(50,8±38) mm
Vastagság	(250±25) um
Fuvarozó típusa	n-típusú
Adalékanyag	Nitrogén
Ellenállás (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Ostya orientáció	(0+0.5) fok
Mikrocső sűrűsége	100 cm-² vagy annál kisebb
Tájolás lapos tájolás	Párhuzamos {1-100} ±5 fok
Tájolás lapos hossz	(15,88±1,65) mm
Azonosítás lapos tájolás	Si-face: 90 fok Cw. homlok tájolás lapos ±5 fok
ldentification lapos hossz	(8+1,65) mm
Felület	Si-face standard lakk Epi-ready
Felület	C-felület mattított
Csomag	Egyetlen ostyacsomag vagy több ostya szállítódoboz

Termék kép

SiC GaN Wafer1

Miért válasszon minket

Termékeinket kizárólag a világ öt legnagyobb gyártójától és vezető hazai gyáraitól szerezzük be. Magasan képzett hazai és nemzetközi műszaki csapatok és szigorú minőség-ellenőrzési intézkedések támogatják.

Célunk, hogy ügyfeleink számára átfogó, egy-egy támogatást nyújtsunk, biztosítva a zökkenőmentes, professzionális, időszerű és hatékony kommunikációs csatornákat. Alacsony minimális rendelési mennyiséget kínálunk, és garantáljuk a gyors, 24 órán belüli kiszállítást.

Gyári bemutató

Hatalmas raktárkészletünk 1000+ termékből áll, így ügyfeleink akár egy darabra is megrendelhetik. Saját tulajdonú kockákra és háttérköszörülésre szolgáló berendezéseink, valamint a globális ipari láncban való teljes körű együttműködés lehetővé teszi számunkra az azonnali szállítást, hogy ügyfeleink egyablakos elégedettségét és kényelmét biztosítsuk.

Tanúsítványunk

Cégünk büszke a megszerzett különféle tanúsítványainkra, beleértve a szabadalmi tanúsítványunkat, az ISO9001-es tanúsítványunkat és a National High-Tech Enterprise tanúsítványunkat. Ezek a tanúsítványok az innováció, a minőségirányítás és a kiválóság iránti elkötelezettségünket jelentik.